新型薄膜半導(dǎo)體電子遷移速度創(chuàng)紀(jì)錄

7月18日電，據(jù)美國趣味科學(xué)網(wǎng)站16日報道，來自美國麻省理工學(xué)院、美國陸軍作戰(zhàn)能力發(fā)展司令部（DEVCOM）陸軍研究實(shí)驗(yàn)室和加拿大渥太華大學(xué)等機(jī)構(gòu)的科學(xué)家，利用名為三元石英的晶體材料，成功研制出一種新型超薄晶體薄膜半導(dǎo)體。薄膜厚度僅100納米，約為人頭發(fā)絲直徑的千分之一。其中電子的遷移速度創(chuàng)下新紀(jì)錄，約為傳統(tǒng)半導(dǎo)體的7倍。這一成果有助科學(xué)家研制新型高效電子設(shè)備。相關(guān)論文發(fā)表于《今日材料物理學(xué)》雜志。