4 月 19 日消息，SK 海力士宣布和臺積電簽署諒解備忘錄（MOU），推進 HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術，目標在 2026 年投產(chǎn) HBM4。
根據(jù)雙方簽署的諒解備忘錄，兩家公司初期目標是改善 HBM 封裝內(nèi)最底層基礎裸片（Base Die）的性能。
IT之家注：HBM 是將多個 DRAM 裸片（Core Die）堆疊在基礎裸片上，并通過 TSV 技術進行垂直連接而成，基礎裸片也連接至 GPU，在 HBM 中扮演非常重要的角色。
包括 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）在內(nèi)，SK 海力士旗下 HBM 產(chǎn)品的基礎裸片此前均采用自家工藝制造，而從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將采用臺積電的先進邏輯（Logic）工藝。
消息稱雙方將會展開緊密合作，嘗試使用臺積電的 CoWoS 技術封裝 SK 海力士的 HBM 產(chǎn)品，從而在性能和功效等方面，進一步滿足客戶的定制化（Customized）HBM 產(chǎn)品需求。
SK 海力士今年 2 月還制定了 One Team 戰(zhàn)略，通過臺積電建立 AI 半導體同盟，進一步鞏固在 HBM 領域的優(yōu)勢。
▲ HBM 內(nèi)存結構示意圖，圖源 AMD 官網(wǎng)
此外，未來 AI 半導體將從 HBM 時代的 2.5D 封裝走向 3D 堆疊邏輯芯片和存儲芯片的新型高級封裝。存儲企業(yè)同芯片代工 + 高級封裝企業(yè)的合作有利于相關研發(fā)推進。
